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但是靶材制作困难，这是因为氧化铟不容易烧结在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作为烧结添加剂，能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材，这种方式形成的ITO薄膜的性能与添加剂的关系极大。日本的科学家采用Bizo作为添加剂，Bi2O3在820Cr熔化，在l500℃的烧结温度超出部分已经挥发，这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ITO靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序。背靶材料：无氧铜(OFC)–目前***常使用的作背靶的材料是无氧铜，因为无氧铜具有良好的导电性和导热性，而且比较容易机械加工。

精铝经过区熔提纯，只能达到5 的高纯铝，但如使用在有机物电解液中进行电解，可将铝提纯到99.9995%，并可除去有不利分配系数的杂质，然后进行区熔提纯数次，就能达到接近于 7 的纯度，杂质总含量lt;0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外，还在低温下有高的导电性能，可用于低温电磁设备。在使用电子照相方法的打印技术中，已经渐进实现高速打印操作、高质量图像形成、彩色像形成、以及成像装置小型化，并且变得很普遍。

制备化合物半导体的金属如铟、磷，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属，总金属杂质含量为 0.1～1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到≥6 的水平。

***回收指的是从一些特定材料中回收有再利用价值的金属废料。许多珍***回收服务企业采用***的精练技术提取金，银，铂等金属。这些程序可以从工业废料，电线中提取珍贵的非铁金属。黄金提炼回收服务应用于各种行业，包括航空航天，珠宝，，半导体和印刷电路板行业。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线。

金属精炼能力可以包括熔炼和通过焚烧热还原。回收涉及从金属材料中分离***，其中一些材料可能包括催化剂，如电子组件或印刷电路板。为了更好的分离或清除金属，普遍采用水解或热解等程序。