发布时间:2020-09-18 12:03:57
在储存技术方面,高密度、大容量硬盘的发展,需要大量的巨磁阻薄膜材料,CoF~Cu多层复合膜是如今应用广泛的巨磁阻薄膜结构。磁光盘需要的TbFeCo合金靶材还在进一步发展,用它制造的磁光盘具有存储容量大,寿命长,可反复无接触擦写的特点。采用聚氨酯橡胶、表氯橡胶等离子导电性橡胶(聚合物)或含有季铵盐等离子导电材料的离子导电性聚合物的组合物的方法。如今开发出来的磁光盘,具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的层复合膜结构,TbFeCo/AI结构的Kerr旋转角达到58,而TbFeCofFa则可以接近0.8。经过研究发现,低磁导率的靶材高交流局部放电电压l抗电强度。
中国的***工业由于较长时期处于***计划经济体制,因此发展比较缓慢,特别是铂族金属起步更是比较晚,工艺技术比较落后,国内资源更是匮乏,直到改革开放以后,以上海黄金的开业为标志,在这三十年里,才得到了迅速的发展,出现了现货、纸黄金、纸白银等等的交易模式,为***者开打了通往财富的大门,更多的开辟了就业渠道,同时铂族金属的生产加工企业和流通领域的企业也似雨后春笋,蓬勃发展,使中国成为很大的的铂族金属进口和消费国。至于形成精细分配的色粉颗粒的技术,***近已经开发出直径不超过10nm的色粉和不超过5pm的色粉。
热压法:ITO靶材的热压制作过程是在石墨或氧化铝制的模具内充填入适当粉末以后,以 100kgf/cm 2~1000kgf/cm 2的压力单轴向加压,同时以1000℃~1600℃进行烧结。为满足上述需要,必须形成精细分配的色粉颗粒,使得色粉颗粒的直径均一,并且使得色粉颗粒呈球形。热压工艺制作过程所需的成型压力较小,烧结温度较低,烧结时间较短。但热压法生产的ITO靶材由于缺氧率高,氧含量分布不均匀,从而影响了生产ITO薄膜的均匀性,且不能生产大尺寸的靶。
烧结法: ITO靶材烧结制作法是在以铟锡氧化物共沉淀粉末或氧化铟和氧锡混合粉末为原料,加入粘结剂和分散剂混合后,压力成型,脱脂,然后于1400℃---1600℃烧结。此外,使用混入了导电性填充剂的电子导电性橡胶的导电辊,其电阻值与施加的电压有关,存在电阻值不固定的问题。烧结法设备投入少,成本低,产品密度高、缺氧率低,尺寸大、但制造过程中对粉末的选择性很强。
ITO靶制备的透明导电薄膜广泛应用于数码相机、投影电视、数码显示的各种光学系统中,***需求量都很大。
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