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现在行业中通用的测量方法基本是手动进行的，其劣势在于手动测试受人为因素 (用力的大小，接触面积等)影响较大，手动测试无法实现同一被测物目标的多次数值的重现，手动测试时只能达到每次测试出来一个数值，无法做产品的分析。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序。另外一般的电阻测量仪器受温度和湿度的影响较大，无法测量，导致不能得出的数值，从而不能保证广品的品质。

溅射技术：溅射是制备薄膜材料的主要技术之一，它利用离子源产生的离子，在真空中经过加速聚集，而形成高速度能的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体是制备溅射法沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。根据电解质的种类可分为氯化物熔盐体系和氟化物-氧化物熔盐体系电解法，多用于制取以镧为主的混合稀土金属以及镧、镨、钕等单一稀土金属。各种类型的溅射薄膜材料无论在半导体集成电路、太阳能光伏、记录介质、平面显示以及工件表面涂层等方面都得到了广泛的应用。

区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30～50欧姆 厘米时，纯度相当于8～9，可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探测器级超纯锗，则尚须经过特殊处理。

由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1，要加强化学提纯方法除去这些杂质，然后再进行区熔提纯。各种生产工艺及其特点简介如下：热等静压法：ITO靶材的热等静压制作过程是将粉末或预先成形的胚体，在800℃～1400℃及1000kgf/cm2～2000kgf/cm2的压力下等方加压烧结。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质（载流子）浓度，一般可达10～10原子/厘米。经切头去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直达到所要求的纯度（10原子/厘米），这样纯度的锗（相当于13）所作的探测器,其分辨率已接近于理论数值。