江苏铂粒加工来电咨询

各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线：在平面显示器产业中，各种显示技术(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步发展，有的已经用于电脑及计算机的显示器制造；现应用较普遍的是溶剂萃取法，它是工业分离高纯单一稀土元素的通用工艺。在信息存储产业中，磁性存储器的存储容量不断增加，新的磁光记录材料不断推陈出新这些都对所需溅射靶材的质量提出了越来越高的要求，需求数量也逐年增加。

区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30～50欧姆 厘米时，纯度相当于8～9，可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探测器级超纯锗，则尚须经过特殊处理。

由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1，要加强化学提纯方法除去这些杂质，然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质（载流子）浓度，一般可达10～10原子/厘米。经切头去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直达到所要求的纯度（10原子/厘米），这样纯度的锗（相当于13）所作的探测器,其分辨率已接近于理论数值。在制造发泡辊筒时，与间歇式方法相比，连续硫化处理法的优点是能够使发泡微孔的直径更小。

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